Увага! Замовлення після 17:00 будуть відправлені наступного дня. Вдалих покупок! Детальніше
0
Обране
0
Порівняти
Каталог товарів
0
0
Все про товар
Опис
Відгуки 0
Питання0
Транзистор NCE80TD65BT 650В 80А, N-канальний, TO-247, NCE Power
Транзистор NCE80TD65BT 650В 80А, N-канальний, TO-247, NCE Power

Транзистор NCE80TD65BT 650В 80А, N-канальний, TO-247, NCE Power

0 Залишити відгук
Модель:

Якісна продукція за доступною ціною.

Гарантія та швидка доставка по всій Україні.

120.00 ₴
Бажаєте дізнатись коли ціна зміниться?
Доставимо цей товар:
Новою Поштою у відділення та поштомати
Новою Поштою у відділення та поштомати Доставимо завтра до 18:00
за тарифами перевізника
Укрпоштою у відділення по Україні
Укрпоштою у відділення по Україні Доставимо за 3-5 днів
від 35 ₴
Оплата
ApplePay ApplePay
оплата за рахунком ФОП/ТОВ оплата за рахунком ФОП/ТОВ
Опис

Транзистор IGBT NCE80TD65BT (NCE Power) — 650 V, 80 A Trench FS II Fast IGBT з вбудованим діодом

Швидкодіючий IGBT-транзистор з технологією Trench Field Stop II другого покоління від NCE Power у корпусі TO-247. Напруга колектор-емітер 650 В, безперервний струм колектора 80 А при TC = 100°C. Відрізняється дуже низькою напругою насичення VCE(sat) = 1.7 В, стійкістю до КЗ протягом 3 мкс та позитивним температурним коефіцієнтом VCE(sat) для легкого паралельного з'єднання. Без свинцю (Pb-free).

Граничні параметри

Параметр Значення Умови
Напруга колектор-емітер VCES 650 В
Напруга затвор-емітер VGES ±30 В
Струм колектора IC 160 А TC = 25°C
Струм колектора IC 80 А TC = 100°C
Імпульсний струм колектора ICplus 240 А
Стійкість до КЗ tsc 3 мкс VGE = 15 В, VCC ≤ 400 В, Tj ≤ 150°C
Прямий струм діода IF 80 А TC = 100°C
Макс. струм діода IFM 240 А
Розсіювана потужність PD 390 Вт TC = 25°C
Розсіювана потужність PD 155 Вт TC = 100°C
Температура переходу та зберігання −55 ... +150 °C
Тепловий опір RθJC (IGBT) 0.32 °C/Вт
Тепловий опір RθJC (діод) 1.41 °C/Вт
Корпус TO-247 G, C, E

Електричні характеристики IGBT

Параметр Typ Max Умови
Порогова напруга VGE(th) 5.0 В 6.0 В IC = 1 мА, VCE = VGE
Напруга насичення VCE(sat) 1.7 В 1.9 В IC = 80 А, VGE = 15 В, T = 25°C
Напруга насичення VCE(sat) 1.9 В IC = 80 А, VGE = 15 В, T = 150°C
Струм витоку колектора ICES 6 мкА VGE = 0 В, VCE = 650 В
Заряд затвора Qg 331 нКл VCC = 480 В, IC = 80 А, VGE = 15 В
Вхідна ємність Cies 9188 пФ VCE = 25 В, f = 1 МГц
Струм КЗ IC(SC) 450 А VGE = 15 В, VCC ≤ 400 В, tSC ≤ 3 мкс
Затримка вмикання td(ON) 19 нс VCE = 400 В, IC = 80 А, VGE = 0/15 В, Rg = 5 Ом
Час наростання tr 17 нс
Затримка вимкнення td(OFF) 172 нс
Час спаду tf 20 нс
Втрати вмикання Eon 1.43 мДж
Втрати вимкнення Eoff 1.45 мДж
Сумарні комутаційні втрати Ets 2.88 мДж

Характеристики вбудованого діода

Параметр Typ Max Умови
Пряме падіння напруги VFM 1.75 В 2.0 В IF = 80 А
Час зворотного відновлення Trr 194 нс VCC = 400 В, IF = 80 А, di/dt = 200 А/мкс
Пік струму відновлення IRRM 2.8 А
Заряд відновлення Qrr 0.2 мкКл

Застосування: кондиціонери та теплові насоси, інвертори загального призначення, керування електродвигунами.

Відгуки

Немає відгуків про цей товар, станьте першим, залиште свій відгук.

Питання та відповіді

Немає питань про даний товар, станьте першим і задайте своє питання.