JT075N065WED TO-247 75A650V транзистор IGBT

0 Залишити відгук

Модель:

Офіційний преставник в Україні!

Офіційна гарантія в Україні!

2-3 дні

120.00 ₴

Бажаєте дізнатись коли ціна зміниться?

Доставимо цей товар:

Новою Поштою у відділення та поштомати Доставимо завтра до 18:00

за тарифами перевізника

Укрпоштою у відділення по Україні Доставимо за 3-5 днів

від 35 ₴

Оплата

ApplePay

оплата за рахунком

Опис

JT075N065WED-GE-B JT075N065WED JILIN SINO TO247 75 А 650 В 539 В транзистор IGBT

Для вивідного монтажу на плату (THT)

Производитель	Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. (JILIN SINO)
Корпус	TO247
Структура	IGBT + Diode
Схема соединения	Одиночный
Макс. напряжение коллектор-эмиттер	650 V
Напряжение затвор - эмиттер	±20 V
Макс. ток коллектора (25°C)	150 А
Макс. ток коллектора (100°C)	75 А
Макс. постоянный ток диода (25°С)	75 А
Время восстановления диода (25°С/tmax)	25.4 / 195 нс
Мощность рассеяния при 25°C	539 Вт
Тип упаковки	Туба
Стандартная упаковка	50 шт