Все про товар
Опис
Відгуки
1
Питання0
new
🔥 Хіт
IGBT транзистор STGW80H65DFB 650V 80A TO-247 STMicroelectronics
Модель: STGW80H65DFB
Якісна продукція за доступною ціною.
Гарантія та швидка доставка по всій Україні.
В наявності: 48
400.00 ₴
Бажаєте дізнатись коли ціна зміниться?
Купити цей товар в 1 клік:
ApplePay
оплата за рахунком ФОП/ТОВ
Опис
Найменування: STGW80H65DFB
Тип транзистора: IGBT + Diode
Маркування: GW80H65DFB
Тип керуючого каналу: N
Pcⓘ |Vce|ⓘ - Гранично-допустима напруга колектор-емітер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустима напруга емітер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ |VCEsat|ⓘ - Напруга насичення колектор-емітер типова: 1.8 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальна гранична напруга затвор-емітер: 7 V
Tjⓘ - Максимальна температура переходу: 175 ℃
trⓘ Coesⓘ Qgⓘ
Тип корпусу: TO247
Тип транзистора: IGBT + Diode
Маркування: GW80H65DFB
Тип керуючого каналу: N
Pcⓘ |Vce|ⓘ - Гранично-допустима напруга колектор-емітер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустима напруга емітер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ |VCEsat|ⓘ - Напруга насичення колектор-емітер типова: 1.8 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальна гранична напруга затвор-емітер: 7 V
Tjⓘ - Максимальна температура переходу: 175 ℃
trⓘ Coesⓘ Qgⓘ
Тип корпусу: TO247
Транзистор супер, перевірив — все ок. Брав для інвертора, працює стабільно
Відгук був корисний?
0
Немає питань про даний товар, станьте першим і задайте своє питання.
