Все про товар
Опис
Відгуки
0
Питання0
Транзистор SGT60N60FD1PN 600В 60А, N-канальний, TO-247, Infineon
Модель:
Якісна продукція за доступною ціною.
Гарантія та швидка доставка по всій Україні.
В наявності: 20
80.00 ₴
Бажаєте дізнатись коли ціна зміниться?
Купити цей товар в 1 клік:
ApplePay
оплата за рахунком ФОП/ТОВ
Опис
SGT60N60FD1PN — N-канальний IGBT з діодом, 600В, 60А (TO-3P)
SGT60N60FD1PN — потужний N-канальний IGBT виробництва Hangzhou Silan Microelectronics на базі технології Field Stop. Інтегрований швидкий відновлювальний діод (FRD). Призначений для індукційного нагріву, ДБЖ, імпульсних блоків живлення (SMPS) та кіл PFC. Рекомендована частота комутації 10–60 кГц. Корпус TO-3P.
| Параметр | Значення |
| Напруга колектор-емітер (VCE) | 600 В |
| Напруга затвор-емітер (VGE) | ±20 В |
| Струм колектора (TC=25°C / 100°C) | 120 А / 60 А |
| Імпульсний струм колектора (ICM) | 180 А |
| Розсіювана потужність (PD, TC=25°C) | 321 Вт |
| Напруга насичення VCE(sat), тип. | 2,2 В (VGE=15В, IC=60А) |
| Порогова напруга (VGE(th)) | 4,0 — 6,5 В |
| Заряд затвора (Qg), тип. | 179 нКл |
| Час вмикання / вимикання (Td(on) / Td(off)) | 36 / 193 нс |
| Втрати комутації (Eon / Eoff) | 3,72 / 1,77 мДж |
| Термічний опір корпус-кристал (RθJC IGBT) | 0,39 °C/Вт |
| Пряма напруга діода (VFM), тип. | 1,9 В (IF=30А) |
| Час відновлення діода (Trr) | 38 нс (тип.) |
| Діапазон температур (TJ) | −55 … +175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Виробник | Hangzhou Silan Microelectronics |
Немає відгуків про цей товар, станьте першим, залиште свій відгук.
Немає питань про даний товар, станьте першим і задайте своє питання.