IGBT транзистор JT030N065WED 650V з діодом

Нові, оригінальні транзистори.

Виробник - JILIN SINO-MICROELECTRONICS

Найменування: JT030N065WED
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип керуючого каналу: N
Pc - Максимальна потужність, що розсіюється: 46 W
|Vce| - гранично-допустима напруга колектор-емітер: 650 V
|Vge| - Максимально допустима напруга емітер-затвор: 20 V
|Ic| - Максимальний постійний струм колектора: 60 ​​A @25℃
|VCEsat| - Напруга насичення колектор-емітер типова: 1.75 V @25℃
|VGEth| - Максимальна гранична напруга затвор-емітер: 6.5 V
Tj - максимальна температура переходу: 150 ℃
tr - Час наростання типовий: 67 nS
Coes - Вихідна ємність, типова: 160 pF
Qg - Загальний заряд затвора, 64,5 nC
Тип корпусу: TO220-MF