Все про товар
Опис
Відгуки
0
Питання0
new
Транзистор BLP028N10-B MOSFET
Модель:
Офіційний преставник в Україні!
Офіційна гарантія в Україні!
В наявності: 50
110.00 ₴
Бажаєте дізнатись коли ціна зміниться?
ApplePay
оплата за рахунком
Опис
Назва пристрою: BLP028N10-B
Тип транзистора: MOSFET
Полярність: N
Pdⓘ - Максимальна розсіювана потужність: 250 W
|Vds|ⓘ - Гранично допустима напруга стік-витік: 100 V
|Vgs|ⓘ - Гранично допустима напруга затвор-витік: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Порогова напруга включення: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимий постійний струм стоку: 180 A
Tjⓘ - Максимальна температура каналу: 150 °C
Qgⓘ - Загальний заряд затвору: 148 nC
trⓘ - Час наростання: 40 ns
Cossⓘ - Вихідна ємність: 2838 pF
Rdsⓘ - Опір стік-витік у відкритому стані: 0.0028 Ohm
Тип корпусу: TO-263
Тип транзистора: MOSFET
Полярність: N
Pdⓘ - Максимальна розсіювана потужність: 250 W
|Vds|ⓘ - Гранично допустима напруга стік-витік: 100 V
|Vgs|ⓘ - Гранично допустима напруга затвор-витік: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Порогова напруга включення: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимий постійний струм стоку: 180 A
Tjⓘ - Максимальна температура каналу: 150 °C
Qgⓘ - Загальний заряд затвору: 148 nC
trⓘ - Час наростання: 40 ns
Cossⓘ - Вихідна ємність: 2838 pF
Rdsⓘ - Опір стік-витік у відкритому стані: 0.0028 Ohm
Тип корпусу: TO-263
Немає відгуків про цей товар, станьте першим, залиште свій відгук.
Немає питань про даний товар, станьте першим і задайте своє питання.
