Увага! Замовлення після 17:00 будуть відправлені наступного дня. Вдалих покупок! Детальніше
0
Обране
0
Порівняти
Каталог товарів
0
0
Все про товар
Опис
Відгуки 0
Питання0
Транзистор FGH25T120SMD-F155 1200В 50А, TO-247, onsemi
Транзистор FGH25T120SMD-F155 1200В 50А, TO-247, onsemi

Транзистор FGH25T120SMD-F155 1200В 50А, TO-247, onsemi

0 Залишити відгук
Модель:

Якісна продукція за доступною ціною.

Гарантія та швидка доставка по всій Україні.

480.00 ₴
Бажаєте дізнатись коли ціна зміниться?
Доставимо цей товар:
Новою Поштою у відділення та поштомати
Новою Поштою у відділення та поштомати Доставимо завтра до 18:00
за тарифами перевізника
Укрпоштою у відділення по Україні
Укрпоштою у відділення по Україні Доставимо за 3-5 днів
від 35 ₴
Оплата
ApplePay ApplePay
оплата за рахунком ФОП/ТОВ оплата за рахунком ФОП/ТОВ
Опис

Транзистор IGBT FGH25T120SMD (onsemi) — 1200 V, 50 A Trench IGBT з вбудованим діодом

Потужний IGBT-транзистор від onsemi у корпусі TO-247-3LD із вбудованим антипаралельним діодом. Напруга колектор-емітер 1200 В, струм колектора 50 А. Технологія Trench забезпечує низьку напругу насичення VCE(sat) та малі комутаційні втрати. Призначений для інверторів, зварювальних апаратів та промислових приводів.

Граничні параметри

Параметр Значення Умови
Напруга колектор-емітер VCES 1200 В
Напруга затвор-емітер VGES ±25 В
Струм колектора IC 50 А TC = 25°C
Струм колектора IC 25 А TC = 100°C
Імпульсний струм колектора ICM 100 А
Розсіювана потужність PD 428 Вт TC = 25°C
Розсіювана потужність PD 214 Вт TC = 100°C
Температура переходу TJ −55 ... +175 °C
Тепловий опір RθJC (IGBT) 0.35 °C/Вт
Тепловий опір RθJC (діод) 1.4 °C/Вт
Корпус TO-247-3LD

Електричні характеристики IGBT

Параметр Typ / Max Умови
Напруга насичення VCE(sat) 1.8 / 2.4 В IC = 25 А, VGE = 15 В, T = 25°C
Напруга насичення VCE(sat) 1.9 В (typ) IC = 25 А, VGE = 15 В, T = 175°C
Порогова напруга затвора VGE(th) 6.2 / 7.5 В IC = 25 мА
Затримка вмикання td(on) 40 нс VCC = 600 В, IC = 25 А, T = 25°C
Час наростання tr 45 нс VGE = 15 В, RG = 23 Ом
Затримка вимкнення td(off) 490 нс
Час спаду tf 12 нс
Втрати вмикання Eon 1.74 мДж T = 25°C
Втрати вимкнення Eoff 0.56 мДж T = 25°C
Сумарні комутаційні втрати Ets 2.30 мДж T = 25°C
Заряд затвора Qg 225 нКл VCE = 600 В, IC = 25 А, VGE = 15 В
Вхідна ємність Cies 2800 пФ VCE = 30 В, f = 1 МГц

Електричні характеристики вбудованого діода

Параметр Значення (typ) Умови
Пряме падіння напруги VFM 2.8 В IF = 25 А, T = 25°C
Пряме падіння напруги VFM 2.1 В IF = 25 А, T = 175°C
Час зворотного відновлення trr 60 нс VR = 600 В, IF = 25 А, di/dt = 200 А/мкс, T = 25°C
Час зворотного відновлення trr 325 нс T = 175°C
Пік струму відновлення Irr 6.6 А T = 25°C
Заряд відновлення Qrr 197 нКл T = 25°C

Застосування: інвертори та частотні приводи, зварювальні апарати, індукційний нагрів, імпульсні джерела живлення, UPS.

Відгуки

Немає відгуків про цей товар, станьте першим, залиште свій відгук.

Питання та відповіді

Немає питань про даний товар, станьте першим і задайте своє питання.