Все про товар
Опис
Відгуки
0
Питання0
Транзистор HYG042N10NS1P 100В 120А, N-канальний, низький Rds(on), TO-220
Модель:
Якісна продукція за доступною ціною.
Гарантія та швидка доставка по всій Україні.
В наявності: 20
29.00 ₴
Бажаєте дізнатись коли ціна зміниться?
Купити цей товар в 1 клік:
ApplePay
оплата за рахунком ФОП/ТОВ
Опис
N-канальний MOSFET підсилювальної моди HYG042N10NS1P призначений для застосування в силовій електроніці, зокрема в комутаційних схемах та перетворювачах DC-DC. Пройшов 100% тестування на лавинний пробій, відзначається низьким опором відкритого каналу та відповідністю стандарту RoHS.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (режим збагачення) |
| Напруга стік-витік (VDSS) | 100 В |
| Напруга затвор-витік (VGSS) | ±20 В |
| Струм стоку постійний (ID), TC=25°C | 160 А |
| Імпульсний струм стоку (IDM) | 520 А |
| Опір відкритого каналу RDS(ON) (тип.), VGS=10В | 3,5 мОм |
| Порогова напруга затвора VGS(th) | 2–4 В |
| Максимальна розсіювана потужність (PD), TC=25°C | 200 Вт |
| Енергія лавинного пробою (EAS), L=0,3 мГн | 650 мДж |
| Вхідна ємність (Ciss) | 7040 пФ |
| Заряд затвора сумарний (Qg) | 119 нКл |
| Час зворотного відновлення діода (trr) | 70 нс |
| Максимальна температура переходу (TJ) | 175°C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Відповідність стандартам | RoHS, безсвинцевий (Lead Free), 100% Avalanche Tested |
Немає відгуків про цей товар, станьте першим, залиште свій відгук.
Немає питань про даний товар, станьте першим і задайте своє питання.