Все про товар
Опис
Відгуки
0
Питання0
Транзистор HY5110W 100В 120А, N-канальний, низький Rds(on), TO-220
Модель:
Якісна продукція за доступною ціною.
Гарантія та швидка доставка по всій Україні.
В наявності: 50
80.00 ₴
Бажаєте дізнатись коли ціна зміниться?
Купити цей товар в 1 клік:
ApplePay
оплата за рахунком ФОП/ТОВ
Опис
N-канальний MOSFET підсилювальної моди HY5110W призначений для застосування в силовій електроніці, зокрема в інверторних системах керування живленням. Відзначається надзвичайно низьким опором відкритого каналу, високою стійкістю до лавинного пробою та відповідністю стандарту RoHS.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (режим збагачення) |
| Напруга стік-витік (VDSS) | 100 В |
| Напруга затвор-витік (VGSS) | ±25 В |
| Струм стоку постійний (ID), TC=25°C | 316 А |
| Імпульсний струм стоку (IDM) | 1085 А |
| Опір відкритого каналу RDS(ON) (тип.), VGS=10В | 2,1 мОм |
| Порогова напруга затвора VGS(th) | 2–4 В |
| Максимальна розсіювана потужність (PD), TC=25°C | 500 Вт |
| Енергія лавинного пробою (EAS), L=0,5 мГн | 2621 мДж |
| Вхідна ємність (Ciss) | 16465 пФ |
| Заряд затвора сумарний (Qg) | 356 нКл |
| Час зворотного відновлення діода (trr) | 74 нс |
| Максимальна температура переходу (TJ) | 175°C |
| Корпус | TO-247A-3L |
| Відповідність стандартам | RoHS, безсвинцевий (Lead Free) |
Немає відгуків про цей товар, станьте першим, залиште свій відгук.
Немає питань про даний товар, станьте першим і задайте своє питання.