Все про товар
Опис
Відгуки
0
Питання0
Транзистор HY3810P 100В 120А, N-канальний, низький Rds(on), TO-220
Модель:
Якісна продукція за доступною ціною.
Гарантія та швидка доставка по всій Україні.
В наявності: 100
45.00 ₴
Бажаєте дізнатись коли ціна зміниться?
Купити цей товар в 1 клік:
ApplePay
оплата за рахунком ФОП/ТОВ
Опис
HY3810P — N-канальний MOSFET 100В, 180А, 5,0 мОм (TO-220FB)
HY3810P — потужний N-канальний MOSFET виробництва Xi'an Huayi Microelectronics. Суфікс P відповідає корпусу TO-220FB-3L. Також випускається у варіантах TO-220FB-3S (M), TO-263-2L (B), TO-3PS-3L (PS), TO-3PM-3S (PM). Призначений для інверторних систем та схем комутації. 100% тестування на лавинний пробій. RoHS, Lead-Free.
| Параметр | Значення |
| Напруга сток-витік (VDSS) | 100 В |
| Опір у відкритому стані (RDS(on)), тип. / макс. | 5,0 / 6,5 мОм (VGS=10В, IDS=90А) |
| Постійний струм стоку (TC=25°C / 100°C) | 180 А / 132 А |
| Імпульсний струм стоку (IDM) | 720 А |
| Напруга затвор-витік (VGSS) | ±25 В |
| Порогова напруга (VGS(th)) | 2,0 — 4,0 В |
| Розсіювана потужність (PD, TC=25°C / 100°C) | 346 / 173 Вт |
| Лавинна енергія (EAS), одиночний імпульс | 1128 мДж |
| Загальний заряд затвора (Qg) | 185 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність (Ciss) | 7889 пФ (тип.) |
| Час вмикання / вимикання (td(on) / td(off)) | 28 / 85 нс (тип.) |
| Пряма напруга тіла діода (VSD), макс. | 1,0 В (ISD=90А) |
| Час відновлення діода (trr) | 65 нс (тип.) |
| Термічний опір корпус-кристал (RJC) | 0,43 °C/Вт |
| Діапазон температур (TJ) | −55 … +175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Виробник | Xi'an Huayi Microelectronics |
Немає відгуків про цей товар, станьте першим, залиште свій відгук.
Немає питань про даний товар, станьте першим і задайте своє питання.