Все про товар
Опис
Відгуки
0
Питання0
Транзистор HY5208W 80В 120А, N-канальний, низький Rds(on), TO-220
Модель:
Якісна продукція за доступною ціною.
Гарантія та швидка доставка по всій Україні.
В наявності: 40
86.00 ₴
Бажаєте дізнатись коли ціна зміниться?
Купити цей товар в 1 клік:
ApplePay
оплата за рахунком ФОП/ТОВ
Опис
HY5208W — N-канальний MOSFET 80В, 320А, 1,7 мОм (TO-247A)
HY5208W — потужний N-канальний MOSFET виробництва Xi'an Huayi Microelectronics. Відзначається надзвичайно низьким опором у відкритому стані та лавинною стійкістю. Суфікс W відповідає корпусу TO-247A-3L. Призначений для інверторних систем управління живленням. RoHS, Lead-Free.
| Параметр | Значення |
| Напруга сток-витік (VDSS) | 80 В |
| Опір у відкритому стані (RDS(on)), тип. / макс. | 1,7 / 2,0 мОм (VGS=10В, IDS=160А) |
| Постійний струм стоку (TC=25°C / 100°C) | 320 А / 228 А |
| Імпульсний струм стоку (IDM) | 1050 А |
| Напруга затвор-витік (VGSS) | ±25 В |
| Порогова напруга (VGS(th)) | 2 — 4 В |
| Розсіювана потужність (PD, TC=25°C / 100°C) | 416 / 208 Вт |
| Лавинна енергія (EAS), одиночний імпульс | 1500 мДж |
| Загальний заряд затвора (Qg) | 298 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність (Ciss) | 12160 пФ (тип.) |
| Час вмикання / вимикання (td(on) / td(off)) | 58 / 110 нс (тип.) |
| Пряма напруга тіла діода (VSD), макс. | 1,0 В (ISD=160А) |
| Час відновлення діода (trr) | 76 нс (тип.) |
| Термічний опір корпус-кристал (RJC) | 0,36 °C/Вт |
| Діапазон температур (TJ) | −55 … +175 °C |
| Корпус | TO-247A-3L |
| Виробник | Xi'an Huayi Microelectronics |
Немає відгуків про цей товар, станьте першим, залиште свій відгук.
Немає питань про даний товар, станьте першим і задайте своє питання.