Все про товар
Опис
Відгуки
0
Питання0
Транзистор IRFP260NPBF 200В 50А, N-канальний, TO-247, Infineon (IR)
Модель:
Якісна продукція за доступною ціною.
Гарантія та швидка доставка по всій Україні.
В наявності: 20
130.00 ₴
Бажаєте дізнатись коли ціна зміниться?
Купити цей товар в 1 клік:
Опис
IRFP260NPbF — N-канальний MOSFET 200В, 50А, 40мОм (TO-247AC)
IRFP260NPbF — потужний N-канальний польовий транзистор серії HEXFET п'ятого покоління виробництва Infineon Technologies. Поєднує низький опір у відкритому стані, швидке перемикання та повну лавинну стійкість. Корпус TO-247AC, виконання без свинцю (Pb-free).
| Параметр | Значення |
| Напруга сток-витік (V(BR)DSS) | 200 В |
| Опір у відкритому стані (RDS(on)), макс. | 0,04 Ом (VGS=10В, ID=28А) |
| Постійний струм стоку (TC=25°C / 100°C) | 50 А / 35 А |
| Імпульсний струм стоку (IDM) | 200 А |
| Напруга затвор-витік (VGS) | ±20 В |
| Порогова напруга (VGS(th)) | 2,0 — 4,0 В |
| Розсіювана потужність (PD, TC=25°C) | 300 Вт |
| Лавинна енергія (EAS), одиночний імпульс | 560 мДж |
| Загальний заряд затвора (Qg), макс. | 234 нКл |
| Вхідна ємність (Ciss) | 4057 пФ (тип.) |
| Час вмикання / вимикання (td(on) / td(off)) | 17 / 55 нс (тип.) |
| Пряма напруга тіла діода (VSD), макс. | 1,3 В (IS=28А) |
| Час відновлення діода (trr) | 268 нс (тип.) / 402 нс (макс.) |
| Термічний опір корпус-кристал (RJC) | макс. 0,50 °C/Вт |
| Діапазон температур (TJ) | −55 … +175 °C |
| Корпус | TO-247AC |
| Виробник | Infineon Technologies |
Немає відгуків про цей товар, станьте першим, залиште свій відгук.
Немає питань про даний товар, станьте першим і задайте своє питання.