Все про товар
Опис
Відгуки
0
Питання0
Транзистор CRST025N08N 80В 25А, N-канальний, низький Rds(on), TO-220
Модель:
В наявності: 150
35.00 ₴
Бажаєте дізнатись коли ціна зміниться?
Купити цей товар в 1 клік:
ApplePay
оплата за рахунком ФОП/ТОВ
Опис
CRST025N08N — N-канальний MOSFET 85В, 2 мОм, 180А (TO-220)
CRST025N08N — потужний N-канальний польовий транзистор виробництва China Resources Microelectronics (華潤微電子) на базі технології SkyMOS1. Відзначається надзвичайно низьким опором у відкритому стані (2 мОм), високим струмом стоку до 180А та напругою 85В. Призначений для синхронного випрямлення в швидких зарядних пристроях AC/DC, систем управління акумуляторами та джерел безперебійного живлення (ДБЖ). Корпус TO-220, 100% тестування на лавинний пробій.
| Параметр | Значення |
| Напруга сток-витік (VDS) | 85 В |
| Опір у відкритому стані (RDS(on)), тип. | 2,0 мОм (VGS=10В, ID=90А) |
| Постійний струм стоку (TC=25°C, пакет) | 180 А |
| Імпульсний струм стоку | 720 А |
| Напруга затвор-витік (VGS) | ±20 В |
| Порогова напруга (VGS(th)) | 2,2 — 3,8 В |
| Розсіювана потужність (TC=25°C) | 227 Вт |
| Лавинна енергія (EAS) | 576 мДж |
| Загальний заряд затвора (QG) | 217 нКл |
| Вхідна ємність (Ciss) | 12191 пФ |
| Термічний опір корпус-кристал (RthJC) | 0,55 °C/Вт |
| Діапазон температур (Tj) | −55 … +150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | China Resources Microelectronics (CRM) |
Немає відгуків про цей товар, станьте першим, залиште свій відгук.
Немає питань про даний товар, станьте першим і задайте своє питання.