Увага! Замовлення після 17:00 будуть відправлені наступного дня. Вдалих покупок! Детальніше
0
Обране
0
Порівняти
Каталог товарів
0
0
Все про товар
Опис
Відгуки 0
Питання0
new
Транзистор SPP20N60C3 600В 20А, N-канальний, TO-220, Infineon
Транзистор SPP20N60C3 600В 20А, N-канальний, TO-220, Infineon

Транзистор SPP20N60C3 600В 20А, N-канальний, TO-220, Infineon

0 Залишити відгук
Модель:

Якісна продукція за доступною ціною.

Гарантія та швидка доставка по всій Україні.

В наявності: 50
125.00 ₴
Бажаєте дізнатись коли ціна зміниться?
Знайшли дешевше?
Купити цей товар в 1 клік:
Доставимо цей товар:
Новою Поштою у відділення та поштомати
Новою Поштою у відділення та поштомати Доставимо завтра до 18:00
за тарифами перевізника
Укрпоштою у відділення по Україні
Укрпоштою у відділення по Україні Доставимо за 3-5 днів
від 35 ₴
Оплата
ApplePay ApplePay
оплата за рахунком ФОП/ТОВ оплата за рахунком ФОП/ТОВ
Опис

SPP20N60C3 — N-канальний силовий MOSFET виробництва Infineon Technologies серії CoolMOS C3. Виконаний за революційною високовольтною технологією з найкращим у класі TO-220 значенням RDS(on). Відзначається надзвичайно низьким зарядом затвора, стійкістю до лавинного пробою та екстремальними показниками dv/dt. Призначений для високовольтних імпульсних джерел живлення та перетворювачів. Корпус PG-TO220, відповідає RoHS.

Тип транзистора N-канальний MOSFET (CoolMOS C3)
Напруга стік-витік VDS (при Tjmax) 650 В
Напруга пробою V(BR)DSS (min) 500 В
Струм стоку ID безперервний 20,7 А (при TC=25°C) / 13,1 А (при TC=100°C)
Імпульсний струм стоку ID puls 62,1 А
Напруга затвор-витік VGS ±20 В (DC) / ±30 В (AC, f>1Гц)
Опір у відкритому стані RDS(on) (typ) 0,19 Ом (при VGS=10В, ID=13,1А, T=25°C)
Порогова напруга затвора VGS(th) 2,0 — 4,0 В (typ 3,0 В)
Крутість gfs 17,5 S (typ)
Вхідна ємність Ciss 2400 пФ
Вихідна ємність Coss 780 пФ
Зворотна передавальна ємність Crss 50 пФ
Заряд затвора Qg (typ/max) 87 / 114 нКл
Заряд затвор-стік Qgd 33 нКл
Час увімкнення td(on) / tr 10 нс / 5 нс
Час вимкнення td(off) / tf 67 / 100 нс (max) / 4,5 / 12 нс (max)
Енергія одиночного лавинного пробою EAS 690 мДж
Пряме падіння напруги діода VSD (max) 1,2 В
Час зворотного відновлення діода trr 390 нс
Заряд зворотного відновлення Qrr 8 мкКл
Розсіювана потужність Ptot 208 Вт (при TC=25°C)
Теплоопір перехід-корпус RthJC 0,6 К/Вт
Діапазон робочих температур -55 ... +150 °C
Корпус PG-TO220
Стандарт RoHS, Pb-Free
Відгуки

Немає відгуків про цей товар, станьте першим, залиште свій відгук.

Питання та відповіді

Немає питань про даний товар, станьте першим і задайте своє питання.