Все про товар
Опис
Відгуки
0
Питання0
Драйвер MOSFET NSI6602A-DSWR, ізольований, SOIC-8, Nova Semiconductor
Модель:
75.00 ₴
Бажаєте дізнатись коли ціна зміниться?
ApplePay
оплата за рахунком ФОП/ТОВ
Опис
NSI6602A-DSWR — ізольований двоканальний драйвер затворів MOSFET/IGBT виробництва NOVOSENSE. Корпус SOW16 (SOP16, 300mil), посилена ізоляція 5700 Vrms. Призначений для half-bridge, full-bridge, LLC, buck-boost топологій та трифазних приводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SOW16 / SOP16 300mil |
| Кількість каналів | 2 (Channel A + Channel B) |
| Напруга живлення вхідної сторони (VDDI) | 3.0 – 5.5 В |
| Напруга живлення вихідної сторони (VDDA/B) | 7 – 25 В |
| Пороговий рівень UVLO драйвера (typ) | 6.15 В (вмикання) / 5.85 В (вимикання) |
| Піковий струм виходу — source | 4 А |
| Піковий струм виходу — sink | 6 А |
| Час затримки поширення (typ) | 25 нс |
| Максимальне розкидання затримок між каналами | 5 нс |
| Максимальне спотворення тривалості імпульсу | 6 нс |
| Максимальна частота комутації | 2 МГц |
| CMTI (стійкість до синфазних перешкод) | ±150 кВ/мкс (typ) |
| Ізоляційна напруга (UL1577) | 5700 Vrms / 1 хв |
| Тип ізоляції (VDE 0884-11) | Reinforced (посилена) |
| VIORM | 1414 Vpeak |
| Діапазон робочих температур | –40 … +125 °C |
| ESD захист (HBM) | ±4000 В |
| Кількість в котушці (SPQ) | 1000 шт |
| MSL | 2 |
Розпіновка SOW16:
| Пін | Назва | Опис |
|---|---|---|
| 1 | INA | Вхід каналу A (TTL/CMOS, внутрішній pull-down) |
| 2 | INB | Вхід каналу B (TTL/CMOS, внутрішній pull-down) |
| 3, 8 | VDDI | Живлення вхідної сторони |
| 4 | GNDI | Земля вхідної сторони |
| 5 | DIS | Вимкнення виходів (HIGH = disable; LOW/NC = enable) |
| 6 | DT | Програмування deadtime (див. нижче) |
| 7, 12, 13 | NC | Не підключено |
| 9 | GNDB | Земля каналу B |
| 10 | OUTB | Вихід каналу B |
| 11 | VDDB | Живлення каналу B |
| 14 | GNDA | Земля каналу A |
| 15 | OUTA | Вихід каналу A |
| 16 | VDDA | Живлення каналу A |
Програмування deadtime (пін DT):
- DT з'єднати з VDDI — deadtime вимкнено, виходи точно слідують входам.
- DT через резистор RDT на GND — deadtime програмується за формулою:
tDT (нс) = 10 × RDT (кОм)
Рекомендований діапазон: 1 – 200 кОм. Паралельно RDT рекомендується керамічний конденсатор ≥ 2.2 нФ.
Немає відгуків про цей товар, станьте першим, залиште свій відгук.
Немає питань про даний товар, станьте першим і задайте своє питання.