Все про товар
Опис
Відгуки
0
Питання0
Транзистор SKST065N08N 80В 65А, N-канальний, низький Rds(on), TO-220
Модель:
48.00 ₴
Бажаєте дізнатись коли ціна зміниться?
ApplePay
оплата за рахунком ФОП/ТОВ
Опис
Транзистор польовий SKST065N08N (CR Micro) — N-Channel SkyMOS1 Power MOSFET 85 V, 5.6 мОм, 105 А
N-канальний потужний MOSFET з технологією SkyMOS1 від China Resources Microelectronics у корпусі TO-220. Напруга сток-витік 85 В, безперервний струм стоку 120 А при TC = 25°C. Надзвичайно низький опір відкритого каналу RDS(on) = 5.6 мОм та відмінний показник FOM (Qg × RDS(on)). Пройшов 100% лавинне тестування (UIS).
Технічні характеристики
| Параметр | Значення | Умови |
|---|---|---|
| Напруга сток-витік VDS | 85 В | — |
| Напруга затвор-витік VGS | ±20 В | — |
| Струм стоку ID (Silicon limit) | 121 А | TC = 25°C |
| Струм стоку ID (Package limit) | 120 А | TC = 25°C |
| Струм стоку ID | 70 А | TC = 100°C |
| Імпульсний струм стоку ID pulse | 480 А | TC = 25°C |
| Опір відкритого каналу RDS(on) | 5.6 мОм (typ) / 6.5 мОм (max) | VGS = 10 В, ID = 50 А, TO-220 |
| Порогова напруга VGS(th) | 3.0 В (typ) | 2.0 ... 4.0 В |
| Заряд затвора QG | 47 нКл | VGS = 10 В, VDS = 42.5 В, ID = 50 А |
| Заряд затвор-витік Qgs | 13 нКл | — |
| Заряд затвор-сток Qgd | 11 нКл | — |
| Вхідна ємність Ciss | 2860 пФ | VGS = 0 В, VDS = 42.5 В, f = 1 МГц |
| Затримка вмикання td(on) | 16 нс | VDS |
Немає відгуків про цей товар, станьте першим, залиште свій відгук.
Немає питань про даний товар, станьте першим і задайте своє питання.