Транзистор SGT70N65FDM1P7 650В 70А, N-канальний, TO-247, Infineon
Якісна продукція за доступною ціною.
Гарантія та швидка доставка по всій Україні.
ApplePay
оплата за рахунком ФОП/ТОВ
Транзистор IGBT SGT70N65FDM1P7 (Silan Microelectronics) — 650 V, 140 A IGBT з вбудованим діодом FRD
Потужний IGBT-транзистор від Silan Microelectronics у корпусі TO-247-3L із вбудованим швидкодіючим діодом (FRD). Напруга колектор-емітер 650 В, безперервний струм колектора 140 А. Відрізняється низькою напругою насичення VCE(sat) = 2.3 В та малим часом відновлення діода trr = 50 нс. Без свинцю (Pb-free).
Граничні параметри
| Параметр | Значення | Умови |
|---|---|---|
| Напруга колектор-емітер VCE | 650 В | — |
| Напруга затвор-емітер VGE | ±20 В | — |
| Струм колектора IC | 140 А | TC = 25°C |
| Струм колектора IC | 70 А | TC = 100°C |
| Імпульсний струм колектора ICM | 210 А | — |
| Розсіювана потужність PD | 321 Вт | TC = 25°C |
| Температура переходу TJ | −55 ... +150 °C | — |
| Тепловий опір RθJC (IGBT) | 0.39 °C/Вт | — |
| Тепловий опір RθJC (FRD) | 1.10 °C/Вт | — |
| Тепловий опір RθJA | 40 °C/Вт | — |
| Корпус | TO-247-3L | — |
Електричні характеристики IGBT
| Параметр | Typ | Max | Умови |
|---|---|---|---|
| Напруга пробою BVCE | 650 В (min) | — | VGE = 0 В, IC = 250 мкА |
| Струм витоку колектора ICES | — | 200 мкА | VCE = 650 В, VGE = 0 В |
| Порогова напруга VGE(th) | 5.0 В | 6.5 В | IC = 250 мкА |
| Напруга насичення VCE(sat) | 2.3 В | 2.7 В | IC = 70 А, VGE = 15 В, T = 25°C |
| Напруга насичення VCE(sat) | 2.6 В | — | IC = 70 А, VGE = 15 В, T = 125°C |
| Вхідна ємність Cies | 2850 пФ | — | VCE = 30 В, VGE = 0 В, f = 1 МГц |
| Вихідна ємність Coes | 294 пФ | — | — |
| Ємність зворотної передачі Cres | 85 пФ | — | — |
| Затримка вмикання td(on) | 40 нс | — | VCE = 400 В, IC = 70 А, VGE = 15 В |
| Час наростання Tr | 171 нс | — | |
| Затримка вимкнення td(off) | 211 нс | — |
Характеристики вбудованого діода FRD
| Параметр | Typ | Max | Умови |
|---|---|---|---|
| Пряме падіння напруги VFM | 1.8 В | 2.2 В | IF = 75 А, TC = 25°C |
| Пряме падіння напруги VFM | 1.5 В | — | IF = 75 А, TC = 125°C |
| Час зворотного відновлення trr | 50 нс | — | IES = 75 А, dIES/dt = 200 А/мкс |
| Заряд відновлення Qrr | 140 нКл | — | IES = 75 А, dIES/dt = 200 А/мкс |
Застосування: інвертори та частотні приводи, зварювальні апарати, індукційний нагрів, імпульсні джерела живлення (SMPS), джерела безперебійного живлення (UPS).
Немає відгуків про цей товар, станьте першим, залиште свій відгук.
Немає питань про даний товар, станьте першим і задайте своє питання.