Увага! Замовлення після 17:00 будуть відправлені наступного дня. Вдалих покупок! Детальніше
0
Обране
0
Порівняти
Каталог товарів
0
0
Все про товар
Опис
Відгуки 0
Питання0
Транзистор KGF75N65KDF-U/H 650В 75А, N-канальний, TO-247, KEC
Транзистор KGF75N65KDF-U/H 650В 75А, N-канальний, TO-247, KEC

Транзистор KGF75N65KDF-U/H 650В 75А, N-канальний, TO-247, KEC

0 Залишити відгук
Модель:

Якісна продукція за доступною ціною.

Гарантія та швидка доставка по всій Україні.

124.00 ₴
Бажаєте дізнатись коли ціна зміниться?
Доставимо цей товар:
Новою Поштою у відділення та поштомати
Новою Поштою у відділення та поштомати Доставимо завтра до 18:00
за тарифами перевізника
Укрпоштою у відділення по Україні
Укрпоштою у відділення по Україні Доставимо за 3-5 днів
від 35 ₴
Оплата
ApplePay ApplePay
оплата за рахунком ФОП/ТОВ оплата за рахунком ФОП/ТОВ
Опис

Транзистор IGBT KGF75N65KDF (KEC) — 650 V, 100 A Field Stop Trench IGBT з вбудованим діодом

Потужний IGBT-транзистор з технологією Field Stop Trench від KEC у корпусі TO-247. Напруга колектор-емітер 650 В, безперервний струм колектора 100 А. Відрізняється низькими комутаційними втратами, високою міцністю та температурно-стабільною поведінкою з покращеною лавинною стійкістю. Призначений для коректорів коефіцієнта потужності (PFC), зварювальних апаратів, інверторів мікрохвильових печей та UPS.

Граничні параметри

Параметр Значення Умови
Напруга колектор-емітер VCES 650 В
Напруга затвор-емітер VGES ±20 В
Струм колектора IC 100 А TC = 25°C
Струм колектора IC 75 А TC = 100°C
Імпульсний струм колектора ICM 225 А
Прямий струм діода IF 75 А TC = 25°C
Імпульсний струм діода IFM 225 А
Розсіювана потужність PD 484 Вт TC = 25°C
Розсіювана потужність PD 242 Вт TC = 100°C
Температура переходу TJ +175 °C
Температура зберігання Tstg −55 ... +175 °C
Тепловий опір RθJC (IGBT) 0.31 °C/Вт
Тепловий опір RθJC (діод) 1.0 °C/Вт
Тепловий опір RθJA 40 °C/Вт
Корпус TO-247 G, C, E

Електричні характеристики

Параметр Typ Max Умови
Напруга пробою BVCES 650 В (min) VGE = 0 В, IC = 250 мкА
Порогова напруга VGE(th) 5.3 В 6.4 В IC = 1 мА
Напруга насичення VCE(sat) 1.77 В 2.2 В VGE = 15 В, IC = 75 А, T = 25°C
Напруга насичення VCE(sat) 2.2 В VGE = 15 В, IC = 75 А, T = 150°C
Заряд затвора Qg 128 нКл VCC = 400 В, VGE = 15 В, IC = 75 А
Заряд затвор-емітер Qge 22 нКл
Заряд затвор-колектор Qgc 60 нКл
Затримка вмикання td(on) 63 нс VCC = 400 В, VGE = 15 В, IC = 75 А, RG = 10 Ом, T = 25°C
Час наростання tr 115 нс
Затримка вимкнення td(off) 177 нс
Час спаду tf 90 нс
Втрати вмикання Eon 3.6 мДж
Втрати вимкнення Eoff 2.1 мДж
Сумарні комутаційні втрати Ets 5.7 мДж

Застосування: коректори коефіцієнта потужності (PFC), зварювальні апарати, інвертори мікрохвильових печей (MWO), джерела безперебійного живлення (UPS), загальні перетворювачі.

Відгуки

Немає відгуків про цей товар, станьте першим, залиште свій відгук.

Питання та відповіді

Немає питань про даний товар, станьте першим і задайте своє питання.