Все про товар
Опис
Відгуки
0
Питання0
Транзистор HY4008P 40В 120А, N-канальний, низький Rds(on), TO-220
Модель:
Опис
N-канальний MOSFET підсилювальної моди HY4008W призначений для застосування в силовій електроніці, зокрема в інверторних системах та комутаційних схемах. Пройшов 100% тестування на лавинний пробій, відзначається низьким опором відкритого каналу та відповідністю стандарту RoHS.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (режим збагачення) |
| Напруга стік-витік (VDSS) | 80 В |
| Напруга затвор-витік (VGSS) | ±25 В |
| Струм стоку постійний (ID), TC=25°C | 200 А |
| Імпульсний струм стоку (IDM) | 800 А |
| Опір відкритого каналу RDS(ON) (тип.), VGS=10В | 2,9 мОм |
| Порогова напруга затвора VGS(th) | 2,0–4,0 В |
| Максимальна розсіювана потужність (PD), TC=25°C | 397 Вт |
| Енергія лавинного пробою (EAS), L=0,5 мГн | 1736 мДж |
| Вхідна ємність (Ciss) | 7398 пФ |
| Заряд затвора сумарний (Qg) | 195 нКл |
| Час зворотного відновлення діода (trr) | 30 нс |
| Максимальна температура переходу (TJ) | 175°C |
| Корпус | TO-247-3L |
| Відповідність стандартам | RoHS, безсвинцевий (Lead Free), 100% Avalanche Tested |
Немає відгуків про цей товар, станьте першим, залиште свій відгук.
Немає питань про даний товар, станьте першим і задайте своє питання.