Все про товар
Опис
Відгуки
0
Питання0
Транзистор HY5012W 100В 120А, N-канальний, низький Rds(on), TO-220
Модель:
Якісна продукція за доступною ціною.
Гарантія та швидка доставка по всій Україні.
В наявності: 50
99.00 ₴
Бажаєте дізнатись коли ціна зміниться?
Купити цей товар в 1 клік:
ApplePay
оплата за рахунком ФОП/ТОВ
Опис
HY5012W — N-канальний MOSFET 125В, 300А, 2,9 мОм (TO-247)
HY5012W — потужний N-канальний MOSFET виробництва HOOYI Semiconductor. Суфікс W відповідає корпусу TO-247-3L. Призначений для інверторних систем управління живленням. Лавинна стійкість, RoHS, Lead-Free.
| Параметр | Значення |
| Напруга сток-витік (VDSS) | 125 В |
| Опір у відкритому стані (RDS(on)), тип. / макс. | 2,9 / 3,6 мОм (VGS=10В, IDS=150А) |
| Постійний струм стоку (TC=25°C / 100°C) | 300 А / 196 А |
| Імпульсний струм стоку (IDM) | 1100 А |
| Напруга затвор-витік (VGSS) | ±25 В |
| Порогова напруга (VGS(th)) | 2 — 4 В |
| Розсіювана потужність (PD, TC=25°C / 100°C) | 500 / 250 Вт |
| Лавинна енергія (EAS), одиночний імпульс | 2000 мДж |
| Загальний заряд затвора (Qg) | 352 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність (Ciss) | 16300 пФ (тип.) |
| Час вмикання / вимикання (td(on) / td(off)) | 55 / 122 нс (тип.) |
| Пряма напруга тіла діода (VSD), макс. | 1,3 В (ISD=150А) |
| Час відновлення діода (trr) | 70 нс (тип.) |
| Термічний опір корпус-кристал (RθJC) | 0,3 °C/Вт |
| Діапазон температур (TJ) | −55 … +175 °C |
| Корпус | TO-247-3L |
| Виробник | HOOYI Semiconductor |
Немає відгуків про цей товар, станьте першим, залиште свій відгук.
Немає питань про даний товар, станьте першим і задайте своє питання.