Транзистор IGBT CRG40T60AK3HD CRMICRO 40A 650V 336W

Основні характеристики:

• Тип пристрою:
  IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) – транзистор з ізольованим затвором, що забезпечує високоефективне перемикання.

• Номінальний колекторний струм (I₍C₎):
  40 А

• Максимальна напруга колектор-емітер (V₍CE₎):
  650 В

• Максимальна розсіювана потужність (P₍tot₎):
  336 Вт

• Корпус:
  TO-247 – забезпечує ефективне тепло відведення і підходить для високопотужних застосувань.

Опис:

IGBT G40T60AK3HD CRMICRO – це високоефективний силовий пристрій, розроблений для застосувань, де необхідні надійність та висока швидкість перемикання. Завдяки своїм характеристикам, пристрій дозволяє працювати в умовах високої напруги до 650 В та забезпечує стабільний колекторний струм до 40 А. Максимальна потужність розсіювання у 336 Вт дозволяє використовувати його у схемах із значними тепловими навантаженнями, за умови належного тепло відведення.

Корпус TO-247 забезпечує відмінну теплофізичну характеристику, що критично для застосувань в імпульсних джерелах живлення, перетворювачах частоти та інших потужних електронних системах. Пристрій відзначається низькою напругою насичення, що зменшує втрати потужності в режимі провідності, а також забезпечує високий рівень ефективності при перемиканні.

IGBT G40T60AK3HD є оптимальним вибором для промислових застосувань, де важливі стабільність роботи, енергоефективність та можливість роботи в екстремальних умовах. Завдяки своїм параметрам, цей IGBT може бути успішно використаний у високовольтних інверторах, системах регулювання двигунів та інших критичних застосуваннях.