Все про товар
Опис
Відгуки
0
Питання0
new
IGBT JT075N065WED 650V 75A корпус TO-247
Модель: JT075N065WED
Якісна продукція за доступною ціною.
Гарантія та швидка доставка по всій Україні.
В наявності: 193
120.00 ₴
Бажаєте дізнатись коли ціна зміниться?
Купити цей товар в 1 клік:
ApplePay
оплата за рахунком ФОП/ТОВ
Часто купують разом
Опис
JT075N065WED-GE-B JT075N065WED JILIN SINO TO247 75 А 650 В 539 В транзистор IGBT
Для вивідного монтажу на плату (THT)
| Производитель | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. (JILIN SINO) |
| Корпус | TO247 |
| Структура | IGBT + Diode |
| Схема соединения | Одиночный |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер | 650 V |
| Напряжение затвор - эмиттер | ±20 V |
| Макс. ток коллектора (25°C) | 150 А |
| Макс. ток коллектора (100°C) | 75 А |
| Макс. постоянный ток диода (25°С) | 75 А |
| Время восстановления диода (25°С/tmax) | 25.4 / 195 нс |
| Мощность рассеяния при 25°C | 539 Вт |
| Тип упаковки | Туба |
| Стандартная упаковка | 50 шт |
Немає відгуків про цей товар, станьте першим, залиште свій відгук.
Немає питань про даний товар, станьте першим і задайте своє питання.
