Транзистор CRJQ190N65GCF 650В 23А, N-канальний MOSFET, TO-247
CRJQ190N65GCF — потужний високовольтний N-канальний MOSFET-транзистор виробництва China Resources Microelectronics. Виготовлений за технологією Super Junction, яка забезпечує низький опір відкритого каналу, високу швидкість перемикання та зменшені втрати потужності.
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 650 В і постійний струм до 23 А за температури корпусу 25 °C. Модель постачається у корпусі TO-247-3L та підходить для використання в імпульсних джерелах живлення, інверторах, зарядних пристроях, освітлювальному обладнанні та іншій силовій електроніці.
| Параметр | Значення |
| Модель | CRJQ190N65GCF |
| Тип транзистора | N-канальний MOSFET |
| Технологія | Super Junction MOSFET |
| Максимальна напруга стік-витік | 650 В |
| Постійний струм стоку при 25 °C | 23 А |
| Постійний струм стоку при 100 °C | 14,8 А |
| Імпульсний струм стоку | 93 А |
| Опір відкритого каналу RDS(on), типовий | 185 мОм |
| Напруга затвор-витік | ±30 В |
| Максимальна потужність розсіювання | 229 Вт |
| Енергія одиночного лавинного імпульсу | 220 мДж |
| Діапазон робочої температури | від −55 до +150 °C |
| Корпус | TO-247-3L |
| Виробник | China Resources Microelectronics |
Особливості:
- максимальна напруга до 650 В;
- низький опір відкритого каналу;
- висока ефективність перемикання;
- зменшені втрати потужності;
- лавинне тестування кожного транзистора;
- міцний корпус TO-247 для встановлення на радіатор.
Застосування:
- імпульсні джерела живлення;
- сонячні та UPS-інвертори;
- зарядні пристрої;
- перетворювачі напруги;
- блоки живлення телевізорів і моніторів;
- системи освітлення;
- промислова силова електроніка.
Розташування виводів: 1 — затвор (Gate), 2 — стік (Drain), 3 — витік (Source). Металева пластина корпусу з’єднана зі стоком.
Немає відгуків про цей товар, станьте першим, залиште свій відгук.
Немає питань про даний товар, станьте першим і задайте своє питання.