Транзистор IKW40N120CS7 Infineon Technologies (K40MCS7)

IGBT IKW40N120CS7 Infineon Technologies (K40MCS7)

Основні характеристики:

• Тип пристрою:
  IGBT (ізольований затворний біполярний транзистор) – високоефективний силовий елемент для перемикання.

• Номінальний колекторний струм (I₍C₎):
  40 А

• Максимальна напруга колектор-емітер (V₍CE₎):
  1200 В

• Максимальна розсіювана потужність (P₍tot₎):
  Близько 300–380 Вт (точне значення залежить від умов охолодження та режиму роботи)

• Напруга затвор-емітер (V₍GE₎):
  ±20 В (типове значення)

• Корпус:
  TO-247 – забезпечує ефективне тепло відведення, що критично для роботи в високопотужних застосуваннях

• Перемикаючі характеристики:
  Типові часи увімкнення та вимкнення знаходяться у діапазоні приблизно 30–50 нс (t₍on₎) та 80–150 нс (t₍off₎), що забезпечує швидке перемикання з мінімальними втратами